特許
J-GLOBAL ID:200903063186312748
熱電変換材料製造方法及びその装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大塚 博一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-018643
公開番号(公開出願番号):特開2002-223010
出願日: 2001年01月26日
公開日(公表日): 2002年08月09日
要約:
【要約】【課題】 本発明は,熱電変換材料の溶融原料から層状構造に配向した高性能熱電変換材料の板状材料,基板上への熱電変換材料の成長,エピタキシャル成長,p-n接合,熱電変換素子を確実に,安定して行なうことができる。【解決手段】 成長ボート2を用いて,原料室25で溶融した原料28をスライダ21に形成された成長室22又は成長室22内に配設した鋳型に注ぎ,徐冷又は急冷によって凝固させて結晶を成長させ,板状の熱電変換材料を作製し,面内に高度に配向した高性能熱電変換材料を作製する。
請求項(抜粋):
真空又は不活性ガス,水素ガス等のガス流れの雰囲気中に設置された成長ボート内に形成された原料室で熱電変換材料原料を溶融し,次いで,溶融原料の予め決められた所定量を前記原料室で保持又は前記原料室から成長室へ注入し,前記溶融原料を前記原料室又は前記成長室において徐冷又は急冷して凝固させ,結晶方位が高性能を有する方向に配向した熱電変換材料を得ることから成る熱電変換材料製造方法。
IPC (5件):
H01L 35/34
, C30B 19/00
, C30B 29/46
, H01L 35/16
, H01L 35/32
FI (5件):
H01L 35/34
, C30B 19/00 S
, C30B 29/46
, H01L 35/16
, H01L 35/32 A
Fターム (8件):
4G077AA02
, 4G077BE26
, 4G077CG01
, 4G077EA08
, 4G077ED06
, 4G077QA02
, 4G077QA26
, 4G077QA71
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