特許
J-GLOBAL ID：200903063188529752
磁気メモリデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161174
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348482
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 隣接セルへの影響を低減させて各磁気メモリ素子に均一な情報の記録ができる磁気メモリデバイスを提供する。【解決手段】 磁気メモリデバイス10は、磁気メモリ媒体1と、コア2と、コア2に巻回されたコイル3とを備える。コア2とコイル3とにより磁界印加手段を構成し、コア2はフェライトから成る。コイル3に電流を流すことによりコア2の端面6と端面7との間に平行磁界が生成され、コイル3に流す電流の向きを制御することにより端面6と端面7との間に生成される平行磁界の方向は、矢印4または矢印5の方向となる。磁気メモリ媒体1は、端面6と端面7との間に配置されるため磁気メモリ媒体1の面内方向に全体に平行磁界が印加される。
請求項（抜粋）：
マトリックス状に配列された磁気メモリ素子と、前記磁気メモリ素子を加熱する加熱手段とから成る磁気メモリ媒体と、情報の記録および/または再生のために前記磁気メモリ媒体に磁界を印加する磁界印加手段とを含み、前記加熱手段は、前記磁気メモリ素子のうち、選択した磁気メモリ素子に対してのみ前記磁界印加手段からの磁界によって動作可能となるように該磁気メモリ素子を加熱する磁気メモリデバイス。
IPC (3件)：
G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/32
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/32
