特許
J-GLOBAL ID：200903063193992193
太陽電池及び太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100349
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284212
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 高効率で高生産性の薄型太陽電池とその製造方法を実現する。【解決手段】 P型シリコン基板にPN接合層と表面電極と裏面電極を形成して成る太陽電池であって、P型シリコン基板の裏面に、ボロン電界層とSiO2 裏面保護膜と、格子状のアルミニウム電界層を有し、格子状のアルミニウム電界層に対応する格子状の裏面電極を有することを特徴とする太陽電池。およびP型シリコン基板にPN接合層を設け、表面電極と裏面電極を形成する太陽電池の製造方法において、裏面電極を形成する前に、P型シリコン基板の裏面に、ボロン電界層とSiO2 裏面保護膜を形成し、次いで格子状のアルミニウム電界層を形成した後、格子状のアルミニウム電界層に対応して格子状の裏面電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項（抜粋）：
P型シリコン基板にPN接合層と表面電極と裏面電極を形成して成る太陽電池であって、P型シリコン基板の裏面に、ボロン電界層とSiO2 裏面保護膜と、格子状のアルミニウム電界層を有することを特徴とする太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
