絶縁膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系絶縁膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175602
公開番号（公開出願番号）：特開2002-363490
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)アルコキシシランの加水分解物、(B)有機溶媒ならびに(C)チタンアルコキシド化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、アルミニウムアルコキシド化合物、タンタルアルコキシド化合物、ボロンアルコキシド化合物、チタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、タンタルキレート化合物、ボロンキレート化合物の群から選ばれる少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物ならびに(B)有機溶媒ならびに(C)チタンアルコキシド化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、アルミニウムアルコキシド化合物、タンタルアルコキシド化合物、ボロンアルコキシド化合物、チタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、タンタルキレート化合物、ボロンキレート化合物の群から選ばれる少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。Ra Si(OR2)4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR3)4 ・・・・・(2)(式中、R3は1価の有機基を示す。) R4b (R5O)3-b Si-(R8)d -Si(OR6)3-c R7c ・・・・・(3)〔式中、R4〜R7は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R8は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕

IPC (8件)：

C09D183/02 , B32B 27/00 101 , C09D 5/25 , C09D183/04 , C09D183/14 , C09D185/00 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (8件)：

C09D183/02 , B32B 27/00 101 , C09D 5/25 , C09D183/04 , C09D183/14 , C09D185/00 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (45件)：

4F100AH06B , 4F100AH06K , 4F100AH08B , 4F100AH08K , 4F100AK52B , 4F100AK52K , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100GB41 , 4F100JG04 , 4F100JG04B , 4F100JG05 , 4J038DL031 , 4J038DL051 , 4J038DL071 , 4J038DL081 , 4J038DL111 , 4J038DM022 , 4J038JA18 , 4J038JA20 , 4J038JA22 , 4J038JA25 , 4J038JA33 , 4J038JA55 , 4J038JB13 , 4J038JB23 , 4J038JB26 , 4J038KA06 , 4J038NA12 , 4J038NA17 , 4J038PB09 , 4J038PB11 , 4J038PC02 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

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