特許
J-GLOBAL ID：200903063199832058
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178963
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022135
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み・読み込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】対の強磁性層(磁化固定層5と磁化自由層7)が中間層6を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、磁化自由層7の膜厚方向に電流を流したときの比抵抗と膜厚との積を規格化抵抗と定義したとき、この規格化抵抗が2000Ωnm2 以上、10000Ωnm2 以下である磁気抵抗効果素子1、並びにこの磁気抵抗効果素子1と磁気抵抗効果素子1を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
上記強磁性層の一方が磁化固定層であり、もう一方が磁化自由層であり、
上記磁化自由層は、膜厚方向に電流を流したときの比抵抗と膜厚との積を規格化抵抗と定義したとき、該規格化抵抗が2000Ωnm2 以上、10000Ωnm2 以下である
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 110
, H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083LA12
, 5F083LA16
