特許
J-GLOBAL ID：200903063201553889
半導体装置製造方法及びその半導体装置製造方法で製造された半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031654
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229110
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】不良が多数発生する半導体装置処理工程を早期に把握し、半導体装置の高歩留り製造を実現する。【解決手段】半導体装置製造ラインに、様々な検出方式を有する検査装置15,検査装置25,検査装置35等から成る検査装置群管理システム1が存在するとする。ここで検査装置15,検査装置25をそれぞれ異物検査装置,外観欠陥検査装置とする。検査装置35は検査装置15または検査装置25の検査直後にプローブ検査を行う簡易プローブ検査装置とする。検査装置15,検査装置25,検査装置35は検査終了後に結果をデータ収集系2(検査装置データベース14,検査装置データベース24,検査装置データベース34)に転送する。
請求項（抜粋）：
複数の処理工程からなる半導体装置の製造ラインにおいて、所定の処理工程を経た半導体装置を検出方式の異なる複数の検査装置を用いて特定品種の半導体装置を常時抜き取りまたは全数検査した直後に、前記複数の検査装置で検出された不良箇所の多い半導体装置上の一部の領域について、その後の処理工程に影響を与えない微小電流、電圧を印加して断線,ショートを感知する簡易プローブ検査を実施し、前記複数の検査装置で検出された検査結果と前記簡易プローブ検査結果の相関度比較を行って、最終プローブ検査で致命不良が多数発生する可能性の高い処理工程を早期に特定し、前記工程のプロセス条件の再調整を行うことを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/66 Z
, H01L 21/66 A
, G01R 31/26 Z
