特許
J-GLOBAL ID：200903063203013407
磁界センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259864
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307501
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 ヒステリシス曲線をほとんど不規則でないようにするとともにヒステリシスを小さくする。【構成】 本発明は、単軸面内異方性を示すとともに非磁性中間層によって分離された二つの強磁性層を形成した基板を有する磁気抵抗素子を具える磁界センサに関するものである。本発明によれば、一方の強磁性層の異方性方向は他方の強磁性層の異方性方向に対して直交する。この結果、外部磁界によって生じるセンサの磁化方向の変化はより一様になり、かつ、対応する磁化曲線はより小さいヒステリシスを示す。センサを磁気ヘッドに用いる場合、改善されたS/N 比が得られる。
請求項（抜粋）：
単軸面内異方性を示し、かつ、非磁性中間層によって分離された二つの強磁性層が形成された基板を有する磁気抵抗素子を具える磁界センサにおいて、一方の強磁性層の異方性方向が、他方の強磁性層の異方性方向に対して直交することを特徴とする磁界センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
