特許
J-GLOBAL ID：200903063206052543
有機金属気相成長装置及び方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288836
公開番号（公開出願番号）：特開平6-135796
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：
【要約】【目的】 ウエハホルダーに付着するGaAs等によりエピタキシャル層が汚染されることを防止し、表面欠陥の少ない良好なエピタキシャル層を成長することのできる有機金属気相成長装置及び方法を提供しようとするものである。【構成】 回転式サセプタを配置した成長室と、ウエハを予め真空に保持するための予備室とを設け、成長室と予備室の一端とをゲートバルブを介して搬送管で接続した有機金属気相成長装置において、予備室の他端を第二のゲートバルブを介して搬送管でクリーニング用反応管と接続し、該反応管にウエハホルダーを収容して800°C以上の温度で塩化物ガスを供給して気相エッチングしてから、新たなウエハをホルダーにセットし、成長室に移してエピタキシャル成長を行う有機金属気相成長装置及び方法である。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを装着する回転式サセプタを縦型成長室の中央に配置し、該成長室に原料ガス供給管を接続し、上記ウエハを予め真空に保持するための予備室を設け、該成長室と予備室の一端とをゲートバルブを介して搬送管で接続し、該成長室と予備室にはそれぞれ個別に真空排気系を接続した有機金属気相成長装置において、上記予備室の他端を第二のゲートバルブを介して搬送管でクリーニング用反応管と接続したことを特徴とする有機金属気相成長装置。
IPC (3件)：
C30B 25/08
, C30B 25/02
, H01L 21/205
