特許
J-GLOBAL ID：200903063207199190
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202080
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038200
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 高温での温度特性を改善し、信頼性が高いAlGaInP系可視光半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 有機金属を用いた化学気相成長法により、第1導電型半導体基板1上に、第1導電型バッファ層2、第1導電型クラッド層3、活性層4、第2導電型クラッド層5、第2導電型ヘテロバッファ層6、キャップ層11を順次形成し、水素を含むガス雰囲気で室温まで降温させた上でキャップ層11を除去し、第2導電型クラッド層5でメサストライプ部を形成し、かつ第1導電型の電流阻止層7と第2導電型のコンタクト層8を形成する。降温時にキャップ層11によりクラッド層5への水素の取込みを抑制し、キャリア濃度を高めて高温での温度特性を改善する。
請求項（抜粋）：
有機金属を用いた化学気相成長法により、第1導電型半導体基板上に第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層を形成し、かつその後に水素を含むガス雰囲気で降温させる工程を含む半導体レーザの製造方法において、前記第2導電型クラッド層を形成した後に化学気相成長法によりキャップ層を成長形成する工程と、このキャップ層を形成した状態で前記降温を行う工程と、その後に前記キャップ層を除去するエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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