特許
J-GLOBAL ID：200903063218314667
チップキャリア及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154731
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097330
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】樹脂が主体のベース材料を使用した従来のBGA型の半導体装置よりも放熱性・接続信頼性の高い、新規なBGA型のチップキャリアを提供する。【構成】略マトリクス状に複数の孔が形成された金属板をベース基板としたチップキャリアであって、金属板1の貫通孔2はあらかじめテーパーを有する形状に加工され、その両面から銅箔3a、3b、ポリイミドフイルム4a、4b、ポリイミド接着剤5a、5bからなる3層フイルムを貼り合わせ、レーザービーム加工によりバイアホールのための孔部22、36の加工を行ない無電解、電解メッキにより銅層23、38を形成し、バイアホール24、37を作成する。順次パターニング加工して配線パターン25、39、外部接続用電極26を作成し、半導体チップ18を搭載・実装し、ハンダパッド19を形成したチップキャリア。
請求項（抜粋）：
略マトリクス状に複数の孔が形成され、前記孔の壁面を含む表面に絶縁薄膜が形成された金属板をベース基板とし、前記基板の片面には、配線用導体パターンが形成され、前記パターンの始端と半導体集積回路素子とが接続されており、前記基板の他面には、外部回路との直接的接続のためのはんだパッド配列が、前記パターンの終端となる電極端子それぞれに対応して配置された構成のチップキャリア。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 23/12 Q
