特許

J-GLOBAL ID：200903063223066086

半導体装置の製造方法

発明者： 林 正浩
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-104963
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291679
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 ウエルの深さを深くしなくてもパンチスルー耐圧を高くできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板1にボロンを高加速エネルギーでイオン注入する工程と、シリコン基板1を酸素雰囲気中で熱処理することにより、シリコン基板1にP型ウエル9を形成すると共に、シリコン基板1の表面にシリコン酸化膜15を形成する工程と、P型ウエル9内にN型不純物をイオン注入する工程と、シリコン基板1を熱処理することにより上記P型ウエル9内にN型ウエルを形成する工程と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

シリコン基板にボロンを1MeV以上3MeV以下の加速エネルギーでイオン注入する第1工程と、シリコン基板を酸素雰囲気中で熱処理することにより、シリコン基板にP型ウエルを形成すると共に、シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する第2工程と、上記P型ウエル内にN型不純物をイオン注入する第3工程と、シリコン基板を熱処理することにより上記P型ウエル内にN型ウエルを形成する第4工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 21/22 C ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 27/08 321 B

Fターム (11件)：

5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AB10 ,  5F048BA01 ,  5F048BE02 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BE07 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01