特許

J-GLOBAL ID：200903063223240051

ウエハレベル半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 中城 伸介 ,  米田 義之 ,  迫田 英治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201416
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026045
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ウエハレベル半導体装置の製造方法において、ウエハ上に封止樹脂を形成しても、捺印情報から不良調査のできる半導体装置の製造方法及びその手法を用いて製造された半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】表面と裏面とを有し表面に複数の半導体チップの形成されたウエハの該表面を樹脂で封止する工程と、各チップに対応した位置情報を該ウエハの裏面の各チップの領域に捺印する第1の捺印工程と、各チップに電気的試験を行う工程と、各チップに対応した該電気的試験の結果を該ウエハの裏面の各チップの領域に捺印する第2の捺印工程と、各チップに切りわけるダイシング工程とを有することを特徴とするウエハレベル半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

表面と裏面とを有し表面に複数の半導体チップの形成されたウエハの該表面を樹脂で封止する工程と、各チップに対応した位置情報を該ウエハの裏面の各チップの領域に捺印する第1の捺印工程と、各チップに電気的試験を行う工程と、各チップに対応した該電気的試験の結果を該ウエハの裏面の各チップの領域に捺印する第2の捺印工程と、各チップに切りわけるダイシング工程とを有することを特徴とするウエハレベル半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/66 A ,  H01L 23/28 H ,  H01L 21/78 Q

Fターム (13件)：

4M106AA01 ,  4M106DA05 ,  4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA21 ,  4M109CA22 ,  4M109GA07 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061CA22 ,  5F061CB13 ,  5F061GA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-246312
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-038692   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭60-010641
  
• 半導体パッケ-ジの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-200832   出願人：亜南半導体株式会社