特許
J-GLOBAL ID：200903063224124306
磁性積層体および磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354673
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166629
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【構成】 Ni<SB>x</SB> M<SB>1-x</SB> (MはFeおよび/またはCoを表し、xは0<x<1の関係を満たす。)の組成の磁性薄膜と、Ag薄膜とを交互に積層する。磁性薄膜およびAg薄膜は、好ましくは分子線エピタキシー法で成膜し、その厚さは、好ましくは、それぞれ4〜20A および2〜60A とする。積層体は、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比0.5以下であり、反強磁性を示す。【効果】 従来の反強磁性型の積層体と比較して、数kOe程度と低い磁場でも磁気抵抗変化を示し、0.01〜20kOe の範囲で1〜15%の任意の磁気抵抗変化率を得ることができる。
請求項（抜粋）：
Ni<SB>x</SB> M<SB>1-x</SB> (MはFeおよび/またはCoを表し、xは0<x<1の関係を満たす。)の組成の磁性薄膜と、Ag薄膜とが積層されており、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比Br/Bsが0.5以下であることを特徴とする磁性積層体。
IPC (2件)：
引用特許：
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