特許
J-GLOBAL ID:200903063224124306

磁性積層体および磁気抵抗効果素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-354673
公開番号(公開出願番号):特開平5-166629
出願日: 1991年12月19日
公開日(公表日): 1993年07月02日
要約:
【要約】【構成】 Ni<SB>x</SB> M<SB>1-x</SB> (MはFeおよび/またはCoを表し、xは0<x<1の関係を満たす。)の組成の磁性薄膜と、Ag薄膜とを交互に積層する。磁性薄膜およびAg薄膜は、好ましくは分子線エピタキシー法で成膜し、その厚さは、好ましくは、それぞれ4〜20A および2〜60A とする。積層体は、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比0.5以下であり、反強磁性を示す。【効果】 従来の反強磁性型の積層体と比較して、数kOe程度と低い磁場でも磁気抵抗変化を示し、0.01〜20kOe の範囲で1〜15%の任意の磁気抵抗変化率を得ることができる。
請求項(抜粋):
Ni<SB>x</SB> M<SB>1-x</SB> (MはFeおよび/またはCoを表し、xは0<x<1の関係を満たす。)の組成の磁性薄膜と、Ag薄膜とが積層されており、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比Br/Bsが0.5以下であることを特徴とする磁性積層体。
IPC (2件):
H01F 10/08 ,  H01L 43/08
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平2-023681
  • 特開平2-023681
  • 特開昭63-064374
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