特許
J-GLOBAL ID：200903063225797339
真空加熱装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168042
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013324
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハ等の試料を真空中で加熱する装置に関し、試料を1000°C程度の温度に加熱してもバックグランドの不純物ガス量が少なく、また、試料表面の膜質によって温度上昇率が左右されることがなく、しかも、透過窓が破損することがなく耐久性に優れた真空加熱装置を提供することを目的とする。【構成】 加熱光を透過する透過窓3が真空シール部材4を介して固着されており、内部に試料8を載置する試料台5が設けられている真空チャンバ1と、真空チャンバ1を真空排気する排気手段6と、透過窓3を介して試料8に加熱光を照射する加熱光発生手段7とからなり、加熱光発生手段7と透過窓3との間に、透過窓3と同一の透過率特性を有する光透過板9または透過窓3の吸収する波長の光を特に吸収する透過率特性を有する光透過板9が少なくとも1枚設けられている。
請求項（抜粋）：
加熱光を透過する透過窓(3)が真空シール部材(4)を介して固着されてなり、内部に試料(8)を載置する試料台(5)が設けられてなる真空チャンバ(1)と、該真空チャンバ(1)を真空排気する排気手段(6)と、前記透過窓(3)を介して前記試料(8)に加熱光を照射する加熱光発生手段(7)とからなり、該加熱光発生手段(7)と前記透過窓(3)との間に、前記透過窓(3)と同一の透過率特性を有する光透過板(9)または前記透過窓(3)の吸収する波長の光を特に吸収する透過率特性を有する光透過板(9)が少なくとも1枚設けられてなることを特徴とする真空加熱装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 14/22
, H01L 21/263
, H01L 21/203
