特許

J-GLOBAL ID：200903063228802759

半導体メモリ素子

発明者： 伊藤 康幸 ,  大西 茂夫 ,  工藤 淳 ,  崎山 恵三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232654
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097382
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【構成】 シリコン基板1に形成されたソース/ドレイン領域4とキャパシタの白金下部電極8とを電気的に接続するポリシリコンプラグ6と該白金下部電極8との間に拡散バリア層として、タンタルシリコン窒化膜7が設けられている。【効果】 拡散バリア層の厚さを1000Å以下にしても、酸素、鉛、白金等に対して顕著な拡散バリア特性を有する。

請求項（抜粋）：

下部電極が白金からなるキャパシタと、該下部電極と導電性プラグにより接続されたトランジスタとを備えた半導体メモリ素子において、上記下部電極と上記導電性プラグとの間に導電性で且つアモルファス構造の拡散バリア層を設けたことを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• マイクロ電子構造体とその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196766   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド