特許
J-GLOBAL ID：200903063230764309
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253252
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095090
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】バイポーラトランジスタの直列ベース抵抗を低減して高速化すると同時に、スタティックメモリセルの電流の製造ばらつきを低減し、メモリセルの情報破壊や、装置の消費電力増加を防止する。【構成】ポリシリコン電極を使用するバイポーラトランジスタが、NPNトランジスタの場合は、ベースポリシリコン電極の結晶粒径をエミッタポリシリコン電極の粒径より大きくし、PNPトランジスタの場合は、エミッタポリシリコン電極の結晶粒径をベースポリシリコン電極の粒径より大きくする。
請求項（抜粋）：
ベース電極とエミッタ電極としてポリシリコン電極を使用するバイポーラトランジスタを備え、該バイポーラトランジスタがNPNトランジスタの場合は、ベースポリシリコン電極の結晶粒径がエミッタポリシリコン電極の粒径より大きく、PNPトランジスタの場合は、エミッタポリシリコン電極の結晶粒径がベースポリシリコン電極の粒径より大きいことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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