特許

J-GLOBAL ID：200903063234325776

半導体不揮発性記憶装置

発明者： 荒瀬 謙士朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258710
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115144
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】データ読み出し時の読み出しゲートディスターブの発生を防止できる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】フローティングゲートPoly層7中のN型不純物濃度を、フローティングゲートPoly層7の下部に位置する第1層7aにおいて低めに設定し、その上部に位置する第2層7bにおいて高めに設定する。これにより、フローティングゲートPoly層7の下部方向に空乏層を広げることができ、読み出し動作時におけるトンネル酸化膜3の実質的な厚膜化を実現でき、また、層間絶縁膜8側の空乏層の広がりを抑止できる。その結果、消去時必要電圧値の上昇を抑えつつ、データ読み出し時における読み出しゲートディスターブを緩和できる。

請求項（抜粋）：

トンネル酸化膜を挟んでチャネルと対向するように形成された、所定導電型の不純物が添加されているフローティングゲートへの電荷の蓄積状態に応じて、メモリセルトランジスタのしきい値がシフトする半導体不揮発性記憶装置であって、上記フローティングゲートの不純物濃度が1E18〜1E20cm-3に設定されていることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 27/10 434