特許

J-GLOBAL ID：200903063237375162

半導体装置の製造方法

発明者： 大矢 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100822
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283253
出願日： 1994年04月13日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 枠の取り付け工程が不要であり、生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 基板上に半導体素子を搭載し、開口を有するスクリーンをその開口内に上記半導体素子が納めた状態で上記基板上に配置した後、その基板上から所定量の樹脂封止材をスキージによって上記開口内に埋設し、スクリーンを取り外すことで基板と半導体素子とを一体に封止する半導体装置の製造方法であって、上記樹脂封止材が、光透過性を有しかつスクリーンを取り外した後にその開口と略同形の形状を維持して硬化する材料で構成されるようにする。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体素子を搭載し、開口を有するスクリーンをその開口内に前記半導体素子が納めた状態で前記基板上に配置した後、該基板上から所定量の樹脂封止材をスキージによって前記開口内に埋設し、前記スクリーンを取り外すことで前記基板と前記半導体素子とを一体に封止する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂封止材は、光透過性を有しかつ前記スクリーンを取り外した後に前記開口と略同形の形状を維持して硬化する材料で構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 25/04 Z ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-075680
  
• 特開昭60-168767
  
• 特開昭60-210882
  
• 特開昭62-235315