特許
J-GLOBAL ID：200903063239949751
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025886
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244453
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子を覆う液状樹脂滴下後の硬化方法を改良する点。【構成】 導電性金属板にマウントする半導体素子表面に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下すると同時または直後に、前記樹脂の露出表面に紫外線を照射することにより硬化させて、適正でかつ安定した樹脂形状を得る。
請求項（抜粋）：
導電性金属板に半導体素子をマウントする工程と,この半導体素子に未硬化の紫外線硬化型液状樹脂を滴下する工程と,この滴下直後に前記樹脂の露出面を紫外線照射する工程とを具備することを特徴とする半導体素子の製造方法
IPC (2件)：
引用特許：
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