特許
J-GLOBAL ID：200903063244949425
ピエゾ抵抗式半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264858
公開番号（公開出願番号）：特開平10-111197
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 アルカリ汚染が解消され、集積回路を搭載することが可能になると共に、一般的な集積回路の形成に使用されている汎用的な半導体製造装置を使用することができ、小型化も可能で歩留まりを高めることができるピエゾ抵抗式半導体圧力センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ピエゾ抵抗式半導体圧力センサは、シリコン基板10と、このシリコン基板上に中央部を欠落して形成された酸化膜11と、この酸化膜上に形成されたシリコン膜12と、このシリコン膜の表面上に形成されたピエゾ抵抗体13とを有する。酸化膜11の欠落部分において、シリコン基板10とシリコン膜12との間に空隙14が形成されている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、このシリコン基板上に中央部を欠落して形成された酸化膜と、この酸化膜上に形成されたシリコン膜と、このシリコン膜の表面上に形成されたピエゾ抵抗体とを有し、前記酸化膜の欠落部分において前記シリコン基板とシリコン膜との間に空隙が形成されていることを特徴とするピエゾ抵抗式半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
