特許
J-GLOBAL ID:200903063253296914
静電容量型圧力センサの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-087348
公開番号(公開出願番号):特開2000-286429
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 センサチップの、センサ感度特性のばらつきの小さい静電容量型圧力センサの製造方法を提供すること。【解決手段】 ダイアフラムを形成するエッチング工程において、エッチング溶液の攪拌機構(スターラ)8と循環機構(ポンプ)7を有するエッチング装置を用い、また、温水による洗浄を実施することにより、ダイヤフラム部の厚みのばらつきを小さくし、センサ感度特性のばらつきの小さい静電容量型圧力センサを得る。
請求項(抜粋):
固定電極が形成された第1の基板と、圧力に応じて変形するダイアフラム部が形成された第2の基板とを有し、前記ダイアフラム部と前記電極部とがギャップを介して互いに対向するように前記第1の基板と前記第2の基板が接合されてキャビティ部を形成するセンサチップを備えた静電容量型圧力センサの製造方法において、前記第2の基板のダイアフラムをエッチングによって形成する場合にエッチング溶液攪拌機構を有するエッチング装置を用いることを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。
IPC (4件):
H01L 29/84
, G01L 9/12
, H01L 21/306
, H01L 21/308
FI (4件):
H01L 29/84 Z
, G01L 9/12
, H01L 21/308 B
, H01L 21/306 J
Fターム (32件):
2F055AA40
, 2F055BB03
, 2F055BB05
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055DD07
, 2F055EE25
, 2F055FF11
, 2F055FF43
, 2F055GG01
, 4M112AA01
, 4M112BA07
, 4M112CA05
, 4M112DA04
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA13
, 4M112EA18
, 4M112GA01
, 5F043AA02
, 5F043AA32
, 5F043BB02
, 5F043BB22
, 5F043DD07
, 5F043DD30
, 5F043EE04
, 5F043EE23
, 5F043EE24
, 5F043FF10
, 5F043GG06
, 5F043GG10
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