特許

J-GLOBAL ID：200903063256408730

化合物半導体装置およびその製造装置

発明者： 山田 隆史 ,  山下 正史
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171659
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029924
出願日： 1993年07月12日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】良好なオーミック接触性コンタクト層を有する化合物半導体装置およびその製造装置を提供する。【構成】 窒素多量ドープのp型ZnSeのコンタクト層は、窒素原子濃度3×1020cm-3以上、層厚1.5、μmを有している。このコンタクト層上に500μmφのAu電極と、その周りに150μmのギャップを介し、約10倍の面積を有するAu電極とを形成し、この両Au電極間の電流-電圧(I-V)特性を測定したところ、ほぼ線形性を示した。また、これらの接触抵抗は1.9×10-1Ωcm2 と比較的低い値となった。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が、ZnSe,ZnSSe,ZnS,ZnMgSe,ZnMgSSe等のp型II-VI族ワイドギャップ化合物半導体で構成された化合物半導体基板上に、オーミック接触を得るために前記p型II-VI族ワイドギャップ化合物半導体を主成分として形成されたコンタクト層を備え、前記コンタクト層を介してオーミック電極が形成された化合物半導体装置において、前記コンタクト層に窒素原子が多量に混入されていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/441 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00