特許
J-GLOBAL ID：200903063263333443
高圧保護回路
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-316719
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】本発明は、P型MOS-FETを使用した電源電圧可変回路を有したマルチ走査形テレビジョン受像機の高圧保護回路である。【構成】電源出力スイッチング素子であるMOS-FETのゲートバイアスを除去するためのトランジスタと、トランジスタを駆動するためのサイリスタを設けることで達成できる。【効果】異常高圧発生時において電源の出力を停止できるため、異常高圧の発生を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
電源電圧可変回路を有した高圧発生回路において、電源出力スイッチング素子をトランジスタとサイリスタを使用し、電源出力スイッチング素子のバイアスを除去することにより、電源を停止させること特徴とする高圧保護回路。
IPC (3件)：
H02M 3/155
, H02H 7/00
, H04N 5/63
