特許
J-GLOBAL ID：200903063264899238
半導体圧力センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172201
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326770
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 被測定圧力媒体との接触による汚染を防止するための保護膜の形成を、半導体集積回路製造技術を利用したバッチプロセスに組み込み、安価かつ大量に製造できる半導体圧力センサを提供する。【構成】 シリコンにより形成されたセンサ基板21を有し、このセンサ基板21には所定の深さの凹部25とともにダイアフラム部26が形成されている。ダイアフラム部26は、凹部25の底部となる部分が受圧面26aとなっている。受圧面26aの反対面には、複数のゲージ抵抗23が形成されている。これらのゲージ抵抗23は不純物拡散層により形成されており、それぞれダイアフラム部26の変形に応じて抵抗値が変化する。ダイアフラム部26の受圧面26aを含むセンサ基板21の裏面側はシリコンオキシナイトライド膜27により被覆されている。このシリコンオキシナイトライド膜27はプラズマCVD法により作製される。
請求項（抜粋）：
センサ基板と、このセンサ基板に形成され、被測定圧力媒体からの圧力に応じて変形するダイアフラム部と、このダイアフラム部の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗と、少なくとも前記ダイアフラム部の受圧面を被覆する誘電体保護膜とを備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
