特許

J-GLOBAL ID：200903063265417466

プラチナをドープしたアバランシェフォトダイオード

発明者： アーマド・ナディーム・イシャク
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113519
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037349
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 アバランシェフォトダイオード(APD)においてバルク漏洩電流を増大させずに、低レベルおよび高レベル寿命を低くする。【構成】 p型導電型にドープされた第1の半導体層110およびn型導電型にドープされた第2の半導体層120を有し、これらの半導体層をp-n接合部を形成するように互いに隣接して配設したAPDにおいて、第1および第2の半導体層中に、比較的大きなキャリア断面を有する深いレベルの寿命低減ドーパント(プラチナ)を分布させる。プラチナドープ半導体層はエネルギバンドギャップの中心から約100mVと450mVの間に位置する少なくとも1つの再結合中心を有する。

請求項（抜粋）：

p型導電型を示すようにドープされた第1の半導体層と、n型導電型を示すようにドープされた第2の半導体層とを有し、前記第1および第2の半導体層はp-n接合部を形成するように互いに隣接して配設され、前記第1および第2の半導体層の各々は選択されたドーパント濃度に分布されたキャリア寿命低減ドーパントを有し、該キャリア寿命低減ドーパントは比較的大きなキャリア断面積を示す深いレベルを有し、キャリア寿命低減ドーパントをドープした各半導体層が該半導体層のバンドギャップの中心から約100mVと450mVの間に位置する少なくとも1つの再結合中心を有していることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。