フォトレジスト剥離液

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322413
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147794
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後の残存する無機質基体上のマスク形成されたフォトレジストやレジスト残渣を短時間で除去できるフォトレジスト剥離液および該フォトレジスト剥離液を使用した剥離方法を提供すること。【解決手段】酸化剤0.1〜60重量%、キレート剤0.01〜5重量%を含んでなるフォトレジスト剥離液。

請求項（抜粋）：

酸化剤0.1〜60重量%および、キレート剤0.01〜5重量%含んでなるフォトレジスト剥離液。

IPC (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

Fターム (6件)：

2H096AA25 , 2H096CA12 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 5F046MA02 , 5F046MA11

引用特許：

審査官引用 (8件)

マイクロエレクトロニクス基板洗浄用のpH調整された、非イオン性表面活性剤含有アルカリ性クリーナー組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-115235 出願人：ジェイティ-ベ-カ-インコ-ポレイテッド
表面処理組成物及び表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-056087 出願人：三菱化学株式会社
基体の表面処理方法及びそれに用いる有機錯化剤含有アンモニア水溶液
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-167183 出願人：三菱化学株式会社

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