樹脂封止形電力用半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250911
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 ?@従来と同様にパワー半導体素子が発する熱を有効に放散させつつ、?Aノイズ耐量の向上化を図ると共に、?B高機能化にも対応可能な樹脂封止形電力用半導体装置を提供する。【解決手段】ダイパッド19とリード部2との板厚を同一にし且つ出来る限り厚く設定する。そして、ダイパッド19の上方に位置する第1インナーリード2A1中、複数個の支持用インナーリード2AS上に、接合層20を介して厚膜基板8を接合する。同基板8の上面上にはパワー半導体素子1の制御回路用パターンの全てが厚膜パターン10として形成されており、同パターン10上には半田を介して制御回路用の素子(IC)9及び全電子部品12が搭載されている。そして、各部分9,12,10,8,1,2A1,19,2B1は封止樹脂5によって封止されている。

請求項（抜粋）：

複数のインナーリードとそれぞれが前記複数のインナーリードの各々と繋がった複数のアウターリードとを有するリード部及び前記リード部と同一板厚を有するダイパッドを備えるフレーム部と、前記ダイパッドの一部上に搭載されたパワー半導体素子と、前記ダイパッドの前記一部を除く前記フレーム部の支持部上に接合された基板と、前記基板の少なくとも一方の主面上に形成された前記パワー半導体素子の制御回路のパターンと、前記制御回路用パターン上に搭載された、前記パワー半導体素子を制御するための半導体素子と、前記制御回路用パターン上に搭載された、前記半導体素子と共に前記制御回路を構成する全ての電子部品と、前記複数のインナーリード、前記ダイパッド、前記パワー半導体素子、前記基板、前記半導体素子及び前記全ての電子部品を封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする、樹脂封止形電力用半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/60 301 , H01L 23/28 , H01L 23/34 , H01L 23/50

FI (5件)：

H01L 21/60 301 A , H01L 23/28 E , H01L 23/34 A , H01L 23/50 L , H01L 25/04 C

Fターム (21件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109BA03 , 4M109DB03 , 4M109FA01 , 4M109FA10 , 4M109GA10 , 5F036BB16 , 5F044AA01 , 5F044AA04 , 5F044AA10 , 5F044AA12 , 5F044AA19 , 5F044JJ05 , 5F044JJ08 , 5F067AA03 , 5F067BB11 , 5F067BC01 , 5F067BE04 , 5F067CA07 , 5F067DF01

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-240132 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-267125 出願人：富士電機株式会社
半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029491 出願人：株式会社日立製作所

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