特許
J-GLOBAL ID：200903063274009010

APDバイアス電圧制御回路

発明者：
金坂 洋起

金坂 洋起 について

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宮木 裕司

宮木 裕司 について

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布施 由起治

布施 由起治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271125
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084235
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明はAPDバイアス電圧制御回路に関し、光受信モジュールとAPDバイアス電圧制御部との汎用的な組み合わせが可能で、APDバイアス電圧制御部の外付けによる光受信モジュールの小型化、更にはPIN素子光受信モジュールの構造の共通化が可能となるAPDバイアス電圧制御回路を提供することを目的としている。【解決手段】 光信号入力を受けて、電気信号に変換し、出力データを出力する光受信部60と、該光受信部60のAPDに最適なバイアス電圧を与えるAPDバイアス電圧制御部70とを別々に構成し、前記APDバイアス電圧制御部70は、その出力電圧を制御可能な直流電圧源71と、前記直流電圧源71に接続され、外部信号によりその抵抗値が可変されるバイアス電圧制御用の可変抵抗R10と、各種制御を行なうCPU72とから構成される。
請求項（抜粋）：
自己バイアス方式によりアバランシェフォトダイオード(APD)のバイアス電圧を制御するAPDバイアス電圧制御回路において、光信号入力を受けて、電気信号に変換し、出力データを出力する光受信部と、該光受信部のAPDに最適なバイアス電圧を与えるAPDバイアス電圧制御部とを別々に構成し、前記APDバイアス電圧制御部は、その出力電圧を制御可能な直流電圧源と、前記直流電圧源に接続され、外部信号によりその抵抗値が可変されるバイアス電圧制御用の可変抵抗と、各種制御を行なうCPUとから構成され、前記CPUは、光受信部のメモリに記憶されているAPDのブレイクダウン電圧値とその温度特性データとを読み出し、光受信部の受信特性が最適となるように、前記直流電源とバイアス電圧制御用可変抵抗の制御を行なうことを特徴とするAPDバイアス電圧制御回路。
IPC (6件)：
H04B 10/14 ,  H04B 10/06 ,  H04B 10/04 ,  H01L 31/107 ,  H01L 31/10 ,  H03F 3/08
FI (4件)：
H03F 3/08 ,  H04B 9/00 S ,  H01L 31/10 B ,  H01L 31/10 G
Fターム (28件)：
5F049MA04 ,  5F049MA07 ,  5F049NA19 ,  5F049NA20 ,  5F049UA04 ,  5F049UA11 ,  5F049UA16 ,  5F049UA20 ,  5J092AA01 ,  5J092AA56 ,  5J092CA02 ,  5J092CA81 ,  5J092CA92 ,  5J092FA10 ,  5J092HA19 ,  5J092HA25 ,  5J092HA26 ,  5J092HA29 ,  5J092HA43 ,  5J092HA44 ,  5J092KA12 ,  5J092KA34 ,  5J092TA01 ,  5J092TA02 ,  5J092UL03 ,  5K002BA15 ,  5K002CA11 ,  5K002CA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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