特許
J-GLOBAL ID：200903063274226053
半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276005
公開番号（公開出願番号）：特開平8-112752
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 高平坦度の半導体ウェーハを得る研磨方法、および、そのための研磨装置を提供する。【構成】 研磨液を供給しながら研磨布14を半導体ウェーハ12の表面に押し付けてウェーハ表面を研磨する。研磨中にウェーハの一部表面を研磨布からはみ出させ、はみ出した部分18の温度をサーモグラフ15で直接測定する。測定温度に基づいて例えば研磨液の温度を制御する。研磨中のウェーハ表面の温度を高精度で制御することができ、半導体ウェーハの研磨表面を高平坦度に管理することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハ表面に研磨布を押し付けて研磨する半導体ウェーハの研磨方法において、研磨中に上記半導体ウェーハの一部表面を研磨布からはみ出させるとともに、その半導体ウェーハのはみ出した部分の温度を測定し、この測定温度に基づいて研磨布によって研磨される半導体ウェーハの温度を制御する半導体ウェーハの研磨方法。
IPC (3件)：
B24B 37/04
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
