特許

J-GLOBAL ID：200903063288192682

シリコンウェーハ表面粗さ制御用のエッチャント

発明者： 高橋 功 ,  富永 正秋 ,  高石 和成 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007476
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306897
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 エッチングによるTTVの劣化をエッチング深さの5%以下に抑え、かつウェーハの光沢度を低下させる。【解決手段】 エッチング速度が7μm/分以上40μm/分未満のとき、粘性度が1.4mPa・秒以上18.5mPa・秒以下であって、エッチング速度が40μm/分以上100μm/分以下のとき、粘性度が1.4mPa・秒以上4.5mPa・秒以下であって、表面張力が少なくとも60dyne/cmである、HF-HNO3系の酸エッチャントのようなシリコンウェーハ表面粗さ制御用のエッチャントである。

請求項（抜粋）：

エッチング速度が7μm/分以上40μm/分未満であって、粘性度が1.4mPa・秒以上18.5mPa・秒以下であって、表面張力が少なくとも60dyne/cmであるシリコンウェーハ表面粗さ制御用のエッチャント。

IPC (3件)：

H01L 21/308 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

H01L 21/308 B ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 321 A