特許

J-GLOBAL ID：200903063288445254

低温焼成セラミック多層配線基板

発明者： 川南 修一
出願人/特許権者： 日本セメント株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339113
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147487
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 基板の誘電率を6以下に低くした低温焼成セラミック多層配線基板を提供すること。【構成】 組成としてSiO2が50〜65モル%、Al2O3が5〜20モル%、MgOが5〜20モル%、B2O3が1〜5モル%、ZnO、BaOのうちいずれか1種以上が7〜20モル%から成るガラスを作製し、そのガラスを70〜90重量%、アルミナを5〜20重量%、コーディエライトを5〜15重量%、ムライトを0〜10重量%用いて作製する低温焼成多層配線基板とした。

請求項（抜粋）：

セラミック基板の作製に使用する材料として、70〜90重量%のガラスを、5〜20重量%のアルミナを、5〜15重量%のコーディエライトを、0〜10重量%のムライトを用いることを特徴とする低温焼成セラミック多層配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  C03C 10/08 ,  H05K 1/03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-275975
  
• 特開昭63-050345
  
• 特開平4-275975
  
• 特開昭63-050345