受光素子を具備する発光マトリックス配列表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：津軽進 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-503943
公開番号（公開出願番号）：特表2003-536115
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2003年12月02日
要約：

【要約】表示装置は、基板(50)上に担持される例えばEL素子のような発光表示素子(20)と、表示素子により放射される光に反応する関連する受光素子(40)とを有するピクセル(10)の配列を有する。この受光素子は、例えばTFT構造ゲート感光性薄膜装置又は基板上に横方向に隔てられる、ゲート制御領域(55)により分離される接触領域(53、54)を具備する半導体層(52)を持つ横方向ゲートピン装置を各々有する。関連する表示素子(20)の一部は、感光性装置のゲートとして作用する表示素子の電極(70)を具備するゲート制御領域上を延在し、これにより、表示素子と感光性装置との間に良好な光学結合を保証し、ゲートが適当にバイアスされることを可能にする。このような装置は、例えば、比較的簡単なやり方で、ピクセルにおける電気光学的なフィードバック制御を提供することを可能にする。

請求項（抜粋）：

一方の側に透明電極を具備する発光材料の層を持つ発光表示素子と、前記表示素子により放射される光に反応する受光素子とを各々有するアドレッシング可能なピクセルの配列を基板上に有する発光表示装置において、各受光素子は、前記基板上に横方向に隔てられた接触領域と、誘電材料が上に置かれる介在するゲート制御領域とを持つ半導体層を有するゲート感光性薄膜装置であり、前記発光表示素子の一部分は前記誘電材料及び前記ゲート制御領域上を前記部分における前記発光表示素子の透明電極が前記感光性装置のゲートとして作用し且つ、前記発光材料層により放射される光が前記半導体層に入射するように延びていることを特徴とする発光表示装置。

IPC (9件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G09G 3/20 624 , G09G 3/20 641 , G09G 3/20 642 , G09G 3/20 680 , G09G 3/30 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (10件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G09G 3/20 624 B , G09G 3/20 641 D , G09G 3/20 642 P , G09G 3/20 680 H , G09G 3/30 J , H05B 33/14 A , H01L 29/78 622 , H01L 29/78 614

Fターム (45件)：

3K007AB17 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 3K007GA04 , 5C080AA06 , 5C080BB05 , 5C080DD05 , 5C080EE29 , 5C080FF11 , 5C080JJ03 , 5C080JJ06 , 5C094AA03 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094FB19 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC02 , 5F110DD14 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE30 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG35 , 5F110GG44 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN73 , 5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (2件)

メモリ機能付き表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-022298 出願人：日本電気株式会社
発光表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-070518 出願人：シャープ株式会社

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