特許

J-GLOBAL ID：200903063295421743

絶縁抵抗劣化検出方法及びその装置

発明者： 吉牟田 治喜 ,  有松 孝之
出願人/特許権者： 日本電池株式会社
代理人 (1件)： 後呂 和男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127102
公開番号（公開出願番号）：特開2002-323526
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 浮遊容量による影響を加味しつつ、絶縁抵抗劣化を正確かつ高速に検出することが可能な絶縁抵抗低下検出装置を提供する。【解決手段】 配置当初は絶縁抵抗12の抵抗値は非常に大きいと考えられるから、浮遊容量13を入力側電圧Vin及び出力側電圧Voutの測定値に基づいて算出することが可能になる。浮遊容量13の算出値と、入力側電圧Vinと、絶縁抵抗12の検出したい抵抗値(例えば、絶縁抵抗劣化時の抵抗値よりやや大きめの抵抗値)とから浮遊容量13の算出値に対応した出力側電圧Voutを算出して、これを基準データとする。その後、絶縁抵抗動作下において、出力側電圧Voutを測定して、その電圧データと基準データとを比較する。浮遊容量13は配置後ほとんど変化しないと考えられるから、前記電圧データと基準データの大小関係が反転した場合には、絶縁抵抗12の実際の抵抗値が検出したい抵抗値よりも低下したものとみなせる。

請求項（抜粋）：

導電性ボディと、この導電性ボディに設けられた絶縁電線との間の絶縁抵抗を時系列的に測定して絶縁抵抗の劣化を検出する絶縁抵抗劣化検出方法において、前記導電性ボディに前記絶縁電線を配置した後にそれら両者間に抵抗とコンデンサとの直列回路を介して交流電圧を印加して前記抵抗の両端の電圧に基づいて測定される前記両者間の浮遊容量に対応する基準データを記憶し、その後、前記両者間に交流電圧を印加して前記抵抗の前記コンデンサ側の電圧データと前記基準データとの比較に基づいて絶縁抵抗の劣化を検出することを特徴とする絶縁抵抗劣化検出方法。

IPC (4件)：

G01R 31/02 ,  B60L 3/00 ,  G01R 27/02 ,  G01R 31/14

FI (4件)：

G01R 31/02 ,  B60L 3/00 S ,  G01R 27/02 R ,  G01R 31/14

Fターム (33件)：

2G014AA17 ,  2G014AB24 ,  2G014AB35 ,  2G014AC07 ,  2G015AA25 ,  2G015AA27 ,  2G015CA05 ,  2G015CA20 ,  2G028AA02 ,  2G028BF05 ,  2G028CG03 ,  2G028DH05 ,  2G028FK01 ,  2G028FK02 ,  2G028FK08 ,  2G028GL03 ,  2G028GL10 ,  2G028LR03 ,  2G028LR06 ,  5H115PA07 ,  5H115PG04 ,  5H115PI16 ,  5H115PU01 ,  5H115QE12 ,  5H115QE18 ,  5H115QN03 ,  5H115SE06 ,  5H115SE10 ,  5H115TI05 ,  5H115TI09 ,  5H115TI10 ,  5H115TR19 ,  5H115UI35