特許

J-GLOBAL ID：200903063296897520

ナノトポグラフィ除去方法

発明者： 柳澤 道彦 ,  奥谷 忠義
出願人/特許権者： スピードファム株式会社
代理人 (1件)： 天野 正景 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027639
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231700
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 これまで除去不可能といわれてきた半導体ウェーハの表面に既に発生してしまったナノトポグラフィ(波長:0.2mm〜20mm、波高:1〜数百nmの凹凸)を除去することを課題とする。【解決手段】 活性種ガスのエッチングプロファイルの半値幅は、ナノトポグラフィの波長a以下、且つ、その2分の1以上の範囲とする。予め測定されたナノトポグラフィのデータに基づいて、噴射される活性種ガスの半導体ウェーハ表面に沿った移動速度と軌跡を算出してこれが制御される。

請求項（抜粋）：

活性種ガスを半導体ウェーハの表面に噴射することにより、半導体ウェーハの表面のナノトポグラフィを除去するためのナノトポグラフィ除去方法であって、予め測定されたナノトポグラフィのデータに基づいて、噴射される活性種ガスの半導体ウェーハ表面に沿った移動速度と軌跡を算出してこれを制御することを特徴とするナノトポグラフィ除去方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/302 B

Fターム (7件)：

5F004AA01 ,  5F004AA11 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004CA05 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01