特許
J-GLOBAL ID:200903063301476091

外部共振器付半導体レーザモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宇高 克己
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-241483
公開番号(公開出願番号):特開2000-077773
出願日: 1998年08月27日
公開日(公表日): 2000年03月14日
要約:
【要約】【解決すべき課題】本発明は、ファブリペロー型半導体レーザモジュールの発振波長域を狭帯域化し、容易に波長合成等を図れる外部共振器型半導体レーザモジュールを提供することにある。【課題を解決するための手段】本発明は,上記の課題を達成するために,半導体レーザの共振光路上に光ファイバを設けてなる外部共振器付半導体レーザモジュールの構成に当たり、レーザモジュール部内に特定の波長を透過する半値幅が1nm〜5nm程度のバンドパスフィルタを配置するとともに、このバンドパスフィルタを透過した光を反射させる反射点を半導体レーザ素子から50cm程度以上離れた光ファイバの先端に配置する。
請求項(抜粋):
【請求項1 】半導体レーザの共振光路上に光ファイバを設けてなる外部共振器付半導体レーザモジュールの構成に当たり、レーザモジュール部内に特定の波長を透過する半値幅が1nm〜5nm程度であって好ましくは2nm〜3nm程度を有しているバンドパスフィルタを配置するとともに、このバンドパスフィルタを透過した光を反射させる反射点を半導体レーザ素子から50cm程度以上離れた光ファイバの先端に配置するようにしたことを特徴とする外部共振器付半導体レーザモジュール。
Fターム (6件):
5F073AA62 ,  5F073AB28 ,  5F073AB29 ,  5F073AB30 ,  5F073EA25 ,  5F073FA06
引用特許:
審査官引用 (7件)
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