特許
J-GLOBAL ID：200903063302136022
窒化物半導体チップの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043342
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246337
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板に窒化物半導体を積層したウエハをスクライバによってチップ状に分離する窒化物半導体チップの製造方法であって、切断面のクラック、チッピングの発生を抑制し、スクライブ刃の寿命を延長することのできる製造方法を提供すること。【解決手段】 スクライバ刃先位置のウエハ表面を相対湿度60%以上に加湿することにより、サファイア基板表面に発生した縦クラックの進行を促進し、スクライブに必要な刃先荷重を減少する。ウエハ表面の加湿は、水の滴下又は流下、ミスト状態の水の噴霧、加湿した気体等の手段により行う。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上にIn<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(0≦X<1、0≦Y<1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハをスクライバによって分離する窒化物半導体チップの製造方法であって、前記スクライバの刃先が接触する位置の前記ウエハ表面を相対湿度60%以上にすることを特徴とする窒化物半導体チップの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/78 Q
5F041AA42
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA76
