半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039999
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251358
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコンの粒径を小さくして、多結晶シリコン膜中の不純物拡散速度を高め、特性の向上した半導体装置を得る。【構成】シリコン基板1の露出した開口部3に酸素と窒素の混合ガスを流して、薄いシリコン酸化膜層5を得る。次でこのシリコン酸化膜層5上に多結晶シリコン膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上の絶縁膜に開口部を形成したのち開口部内にCVD法により選択的に多結晶シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記開口部内を酸素ガス、または不活性ガスで希釈された酸素ガスで処理したのち多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285

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