縦型構造トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172645
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190563
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】基板表面に形成された接合部の発熱を効率良く逃がすことができる上、引き出し線のインダクタンスを低減でき、マイクロ波帯での電力増幅用として実用に供することができる縦型構造トランジスタを提供する。【構成】半導体基板10の表面に形成された縦型構造トランジスタの、複数に分割された接合部5,7,8の直上に、バンプ電極1を設け、これをヒートシンク4に接続して放熱する。バンプ電極1はAuまたはAuを含む金属からなる。エミッタ領域5の寸法とバンプ電極1の幅寸法とが略一致している。エミッタ領域5は、平行に並ぶ複数の短冊状のフィンガー部5aに分割され、このフィンガー部5aの長手方向の寸法およびこの方向のバンプ電極1の幅寸法は、5〜40μmの範囲に設定されている。

請求項（抜粋）：