特許
J-GLOBAL ID：200903063308329884
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030676
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240501
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】配線チャネル数を減らすことなく、ソース・ドレイン拡散層の寄生容量を低減して半導体集積回路の動作速度を向上させる。【構成】ゲート電極4に沿って形成されるソース・ドレイン拡散層6のゲート長方向の幅をコンタクト領域以外ではコンタクト領域よりも狭く限定して形成することにより、接合容量を低減し、且つソース・ドレイン領域6に設けた高融点金属シリサイド層5と接続して層間絶縁膜8上に形成した金属パッド11をゲート電極4に沿ってソース・ドレイン領域6よりも長く形成することで、所望の配線チャネル数を確保することができる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記ゲート電極に沿って形成し且つコンタクト領域以外のゲート長方向の幅が前記コンタクト領域よりも狭く形成された逆導電型のソース・ドレイン拡散層と、前記ソース・ドレイン拡散層の表面に形成した高融点金属シリサイド層と、前記ゲート電極および前記ソース・ドレイン拡散層を含む表面に形成した第1の層間絶縁膜と、前記コンタクト領域上の前記第1の層間絶縁膜に形成した第1のコンタクトホールを介して前記高融点金属シリサイド層に接続し且つ前記ゲート電極に沿って形成した短冊状の金属パッドと、前記金属パッドを含む表面に形成した第2の層間絶縁膜に形成した第2のコンタクトホールを介して前記金属パッドに接続し且つ前記第2の層間絶縁膜上に延在して形成した配線とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/118
, H01L 29/78
H01L 27/04 A
, H01L 21/82 M
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 X
