特許

J-GLOBAL ID：200903063314408117

半導体レーザ装置

発明者： 八木 哲哉
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-209981
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078770
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 レーザ活性領域を貫く貫通転移を無くすことができ、かつ導波路中の光損失を抑えることが可能な、長寿命でレーザ特性に優れた半導体レーザ装置を得る。【構成】 リッジ構造部9の第1のp-コンタクト層5aと第2のp-コンタクト層5bとの間に、AlAs層とGaAs層とを交互に積層して形成した超格子層6を設けた。

請求項（抜粋）：

基板の一主面上に順次配置された第1導電型クラッド層,活性層,及び第1の第2導電型クラッド層と、該第1の第2導電型クラッド層上に配置され、上記基板の一主面と平行に配置された超格子層を含む第2導電型の半導体からなるリッジストライプ構造部と、該リッジストライプ構造部を埋め込むように配置された、電流ブロック層を含む層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。