特許
J-GLOBAL ID：200903063316899215
半導体不揮発性記憶素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171782
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343695
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【構成】 メモリ絶縁膜は、メモリ酸化膜2とナイトライド膜3とトップ酸化膜4とからなるメモリ素子領域10と、メモリ酸化膜より膜厚が厚い犠牲酸化膜1とナイトライド膜3とトップ酸化膜4とからなる高しきい値領域11とを設ける半導体不揮発性記憶素子、およびその製造方法。【効果】 不揮発性記憶素子のゲート電圧とドレイン電流の関係において、従来の寄生テーパーゲートトランジスタによるリーク電流を抑えることが可能となり、メモリ特性の向上が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体不揮発性記憶素子を構成するメモリトランジスタのチャネル幅方向におけるメモリ絶縁膜は、メモリ酸化膜とナイトライド膜とトップ酸化膜とからなるメモリ素子領域と、メモリ酸化膜より膜厚が厚い犠牲酸化膜とナイトライド膜とトップ酸化膜とからなる高しきい値領域とによって構成することを特徴とする半導体不揮発性記憶素子。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
