特許
J-GLOBAL ID：200903063321834849
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096361
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283456
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】シリコン半導体表面の浅い領域に、リンもしくはボロンをドーピングする方法において、シリコン半導体へのダメージがなく、ドーピング層を均一に、制御性よく形成できる高性能で安価な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン半導体の表面を洗浄して清浄な表面を露出した直後に、リンもしくはボロンを含む物質に、シリコン半導体を、上記物質の溶融点以上、400°C以下の温度で晒して上記物質を付着した後、シリコン半導体を加熱してドーピングを行う工程を含む半導体装置の製造方法とする。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体の表面を洗浄して清浄表面を露出した直後に、リンもしくはボロンを含む物質に、上記半導体を上記物質の融点以上、400°C以下の温度で晒して上記物質を付着した後、上記半導体を加熱して上記物質のドーピングを行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/225 M
, H01L 21/22 P
