特許

J-GLOBAL ID：200903063325675435

半導体装置及びその製造方法

発明者： 土屋 朋信 ,  河野 敏弘 ,  古森 正明 ,  奧野 八重
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137680
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349692
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】第1の半導体基板上に、これと異なる格子定数を持つ第2の半導体基板を設けた構造を有し、接着界面が強固な接着力を持ち、接着界面での欠陥やトラップ密度が抑制された半導体装置を提供すること。【構成】第1の半導体基板であるn-GaAs基板1と、これと異なる格子定数を持つ第2の半導体基板であるp-InP基板3との間に、接着層として、n-In0.65Ga0.35As0.25P0.75層2、2’を設けた半導体装置。この接着層は、いずれか一方の半導体基板と同じ種類の材料よりなるものか、いずれか一方の半導体基板と同じ格子定数を持つものか又は両方の半導体基板の格子定数の中間の値の格子定数を持つものを用いる。

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板、該第1の半導体基板と異なる格子定数を持つ第2の半導体基板及び第1の半導体基板と第2の半導体基板の間に接着層として設けられた、いずれか一方の半導体基板と同じ種類の材料よりなる成長層を有し、少なくとも第2の半導体基板に半導体素子が設けられたことを特徴とする半導体装置。