特許

J-GLOBAL ID：200903063331584867

ナノ構造体、その製造方法および磁気デバイス

発明者： 寺本 洋二 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091952
公開番号（公開出願番号）：特開2001-278700
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】 細孔中にペロブスカイト型酸化物をエピタキシャル成長したナノ構造体を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト型酸化物表面を有する基体上に絶縁膜を有し、該絶縁膜が表面から基体表面まで達する複数の細孔を有するナノ構造体において、少なくとも該細孔中にペロブスカイト型酸化物が存在するナノ構造体。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型酸化物表面を有する基体上に絶縁膜を有し、該絶縁膜が表面から基体表面まで達する複数の細孔を有するナノ構造体において、前記細孔中にペロブスカイト型酸化物が存在することを特徴とするナノ構造体。

IPC (6件)：

C30B 29/22 ,  C30B 5/00 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 5/00 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12

Fターム (11件)：

4G077AA10 ,  4G077BC11 ,  4G077CA09 ,  4G077ED04 ,  4G077HA03 ,  5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5E049AA10 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049GC01