特許
J-GLOBAL ID：200903063332055833
液晶表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276102
公開番号（公開出願番号）：特開平6-130413
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 非単結シリコンを用いたアクティブマトリックス方式液晶表示装置の薄膜トランジスタと画素付加容量の特性を安定させ、画面の表示品質を向上する。【構成】 熱酸化工程を二回に分けて行う。一回目の熱酸化終了後、画素付加容量の誘電体膜のみを選択的にエッチング除去する。二回目の熱酸化を行うことにより、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と画素付加容量の誘電体膜がともに形成され、画素付加容量の誘電体膜を選択的に薄膜化することができる。【効果】 膜厚の制御性が良いため、薄膜トランジスタと画素付加容量の特性が安定する。また、MOS界面が清浄に保たれるため、素子の信頼性が高い。
請求項（抜粋）：
非単結晶シリコンを用いたアクティブマトリクス方式液晶表示装置の製造方法において、非単結晶シリコン膜を堆積した後、所定のパターンにエッチングする工程と、一回目の熱酸化をして、酸化膜を形成する工程と、該酸化膜の一部を選択的にエッチング除去する工程と、二回目の熱酸化を行う工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
