配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091038
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274161
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】高融点金属をバリアメタルに使用しつつアルミニウム材料膜の膜厚を厚く設定する。【解決手段】ウエットエッチング後に塩素ガスでイオンエッチング処理を施してモリブデンシリサイドとアルミニウム合金との反応層をイオンアシストエッチングし、反応層とその下のモリブデンシリサイド膜を除去し易い性質に改質させる。イオンエッチング処理後に酸素ガスとフレオン系ガスでプラズマ処理することにより、改質されたモリブデンシリサイド膜をその上の改質された反応層と共に除去し、ウエットエッチング後に残存した導体膜を完全に除去する。【効果】配線間のリーク不良を防止できるため、パワーMOSFETにモリブデンシリサイドをバリアメタルとして採用でき、アルミニウム材料膜の膜厚を厚く設定して、パワーMOSFETの性能を高める。

請求項（抜粋）：

アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線が基板上に形成される配線形成方法であって、前記基板上に高融点金属または高融点金属合金からなるバリアメタル膜が形成され、このバリアメタル膜の上に前記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜が形成される成膜工程と、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をマスキングする有機系のエッチングマスクが形成されるエッチングマスク形成工程と、前記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜のエッチングマスクによってマスキングされた以外の領域がウエットエッチングによって除去されるウエットエッチング工程と、前記バリアメタル膜のエッチングマスク以外の領域がドライエッチングによって除去されるドライエッチング工程と、前記エッチングマスクが除去されるエッチングマスク除去工程と、を備えていることを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/88 C , H01L 21/28 301 S , H01L 21/302 G , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 652 L

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