特許

J-GLOBAL ID：200903063333616170

パターン形成方法

発明者： 水島 明子 ,  成塚 康則 ,  香月 真理亜 ,  手呂内 俊郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202928
公開番号（公開出願番号）：特開2000-035678
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】凹凸の大きい基板上で基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスにより庇構造のリフトオフ用マスクパターンを形成し、高精度かつ信頼性の高いメタルパターンを得る。【解決手段】凹凸の大きい基板1に下層レジスト2、上層レジスト4を順次成膜した後、基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスによりパターニングして庇構造の積層パターン3を得る。スパッタ膜5を成膜した後、積層レジストパターンをリフトオフ用マスクパターンとしてリフトオフにより除去することで高精度なメタルパターン5を得る。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸のある基板上へ庇形状のリフトオフマスク材をパターニングする工程と、メタル薄膜を形成する工程と、前記マスク材をリフトオフする工程とを含むパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/26 513 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/26 513 ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (13件)：

2H096AA30 ,  2H096CA12 ,  2H096CA16 ,  2H096DA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096GA17 ,  2H096HA01 ,  2H096HA23 ,  2H096HA28 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096LA02