特許
J-GLOBAL ID：200903063343326464
配線形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316078
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347307
出願日： 1992年10月31日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 Al-Si等のSi含有金属層により配線を形成する場合に、Siノジュールの発生を防止し、信頼性の高い配線を形成する技術の提供。【構成】 ?@Ti等の下地金属1上に、高温でAl-Si等のシリコン含有金属3の層を成膜することにより、成膜中に、前記下地金属1と、前記シリコン含有金属3とから成るAl-Ti-Si3元合金等のシリコン合金層2を形成する配線形成方法。?ATi等の下地金属上に、Al-Si等のシリコン含有金属層を成膜した後に、熱処理を施すことにより、前記下地金属と、前記シリコン含有金属とから成るAl-Ti-Si3元合金等のシリコン合金層を形成することを特徴とする配線形成方法。
請求項（抜粋）：
下地金属上に、高温でシリコン含有金属層を成膜することにより、成膜中に、前記下地金属と、前記シリコン含有金属とから成るシリコン合金層を形成することを特徴とする配線形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/203
, H01L 21/28 301
, H01L 21/324
, H01L 21/90
