双安定半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238323
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082885
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】光通信や光ネットワークにおける光信号処理デバイスの一つである光双安定半導体レーザに関し、閾値の増大を抑えて可飽和吸収領域における寿命を小さくすることを目的とする。【構成】キャリアが注入される利得領域A,Bと、該利得領域A,Bに挟まれた可飽和吸収領域Cを有する双安定半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収領域Cにある活性層4は、前記利得領域A,Bにある活性層4よりもドーパント濃度の高い高濃度ドーパント領域4aとなっていることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

キャリアが注入される利得領域(A,B)と、該利得領域(A,B)に挟まれた可飽和吸収領域(C)を有する双安定半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収領域(C)にある活性層(4)は、前記利得領域(A,B)にある活性層(4)よりもドーパント濃度の高い高濃度ドーパント領域(4a)となっていることを特徴とする双安定半導体レーザ。

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