特許

J-GLOBAL ID：200903063346720953

珪化物導電体表面への酸化珪素保護膜の形成方法およびセラミック発熱素子

発明者： 三橋 悦央 ,  北島 正裕 ,  三木 信之 ,  澤村 建太郎 ,  淀川 正忠
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114459
公開番号（公開出願番号）：特開平7-296953
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 簡単な工程で酸化珪素保護膜を形成することができる酸化珪素保護膜の形成方法、この形成方法によって得られた酸化珪素保護膜を備えるセラミック発熱素子、および該セラミック発熱素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の導電体表面への酸化珪素保護膜の形成方法は、珪化物を含む導電体の表面に緻密な酸化珪素保護膜を形成する方法において、酸化性雰囲気中で導電体自体が高温になるように、一定時間通電することにより、導電体の表面に緻密な酸化珪素保護膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

珪化物を含む導電体の表面に緻密な酸化珪素保護膜を形成する方法において、酸化性雰囲気中で導電体自体が高温になるように、一定時間通電することにより、導電体の表面に緻密な酸化珪素保護膜を形成する導電体表面への酸化珪素保護膜の形成方法。

IPC (5件)：

H05B 3/14 ,  C04B 35/10 ,  C04B 35/58 106 ,  C04B 41/87 ,  H01B 5/14